اشترِك في نشرتنا الإخبارية
تصميم جديد قد يؤدّي إلى إطالة عمر بطارية "سامسونغ"
17-12-2021 | 19:23
المصدر: النهار
أعلنت شركتيّ "آي.بي.أم." و"سامسونغ" عن أحدث تطوُّر لهما في تصميم أشباه الموصلات (semiconductors)، وهي عبارة عن طريقة جديدة لرصف الترانزستورات عمودياً على شريحة بدلاً من رصفها بشكلٍ أفقيّ.
يهدف التصميم العمودي (VTFET) الجديد إلى الحلول مكان تقنية "FinFET" المستخدمة حالياً لتصنيع بعض الرقائق الأكثر تطوُّراً، ويمكن من خلال هذه التقنية تصنيع شرائح أكثر كثافة تسمح للتيار بالتدفق لأعلى ولأسفل بدلاً من التخطيط الأفقي المستخدم حالياً في معظم الرقائق.
وحيث أن التصاميم العمودية لتصنيع الشرائح أصبحت رائجة منذ فترة من الوقت؛ فإنّ خطط شركة "إنتل" المستقبلية تهدف إلى استخدام هذه التقنية بدلاً من تقنية تكديس مكوّنات الرقائق بدلاً من الترانزستورات الفردية على مستوى واحد، بحيث تستفيد من إمكانية رصف المكونات بالمساحة المتاحة عمودياً.
وقد عدَّدت الشركتان بعض حالات الاستخدام المحتملة الطموحة للتكنولوجيا الجديدة، مثل استخدام التقنية لتصنيع "بطاريات الهواتف المحمولة التي يمكن أن تستخدم لأكثر من أسبوع دون الحاجة إلى الشحن، بدلاً من أيام"، وتعدين العملات المشفَّرة، أو تشفير البيانات الأقل استهلاكًا للطاقة، وحتّى المركبات الفضائية.
عرضت شركة "آي.بي.أم." في وقتٍ سابق من هذا العام أوّل شريحة 2 نانومتر، مستخدمةً طريقة تصميم شرائح مختلفة عن تصميم FinFET المستخدم حالياً. ويبقى هدفها، الذي قد يستغرق تحقيقه وقتاً أطول، استعمال تقنية VTFET وأخذ الأمور إلى أبعد من ذلك، بحيث يصار إلى إنتاج شرائح تعتمد على أحدث تقنيات "آي.بي.أم." و"سامسونغ" في العالم.
ليست "آي.بي.أم." الشركة الوحيدة التي تتطلَّع إلى مستقبل الإنتاج، فلقد استعرضت "إنتل" خلال الصيف تصميمها القادم "ريبن فيت" (RibbonFET)، وهو خليفتها لتقنية الإنتاج FinFET، على أن يتمّ اعتماده كجزء من جيل Intel 20A المقرّر أن يتزايد إنتاجه في العام 2024. كما أعلنت الشركة مؤخّراً عن خطتها الخاصة الرامية إلى استعمال تقنية الترانزستورات المكدَّسة كخلف محتمل لـRibbonFET في المستقبل أيضاً.
